摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容器阵列结构及其制备方法“授权公告号CN108538835B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种电容器阵列结构及其制备方法，该方法包括：1)提供一半导体衬底，于半导体衬底上还有呢？
...金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容器阵列结构及其制备方法“授权公告号CN108538835B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种电容器阵列结构及其制备方法，该方法包括：1)提供一半导体衬底，于半导体衬底上还有呢？
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容阵列结构及其制备方法“授权公告号CN109065501B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示，本发明提供一种电容阵列结构及其制备方法，包括：于半导体衬底上形成叠层结构；刻蚀叠层结构形成说完了。
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法“授权公告号CN107968044B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供一种电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，包括：提供半导体衬还有呢？
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容结构及其形成方法“授权公告号CN109148427B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱好了吧！
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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“电容检测方法及检测装置、电子设备“公开号CN117538618A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请提供一种电容检测方法，用于电容检测装置，该方法包括：获取检测通道的第一检好了吧！
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，福建火炬电子科技股份有限公司取得一项名为“一种多芯陶瓷电容器“授权公告号CN110098055B,申请日期为2019年5月。专利摘要显示，一种多芯陶瓷电容器，包括第一引脚、第二引脚、多个电容芯片和封装体，第一引脚形成有第一极等会说。
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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，福建火炬电子科技股份有限公司取得一项名为“一种灌封脉冲功率电容器“授权公告号CN109300692B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明通过提供一种灌封脉冲功率电容器，包括塑封外壳、灌封胶层、两金属电极片和若干说完了。
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，肇庆绿宝石电子科技股份有限公司申请一项名为“一种工业变频器专用高压电解电容器及其制造方法“公开号CN117542659A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种工业变频器专用高压电解电容器及其制造方法。..
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，福建火炬电子科技股份有限公司取得一项名为“可切换容量的灌封脉冲功率电容器及其使用方法“授权公告号CN110111998B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明提供一种可切换容量的灌封脉冲功率电容器及其使用方法，可切说完了。
金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，深圳市明微电子股份有限公司取得一项名为“一种消影电压控制系统和方法“授权公告号CN107947569B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种消影电压控制系统，与寄生电容相连，包括充电模块、放电模块和电压检后面会介绍。
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